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IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRR	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSTRRPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530PBF	文件：566.6 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530PBF	文件：3.52791 Mbytes Page：7 Pages	HEXFETPOWERMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530PBF	文件：1.00298 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PowerSwitch •LoadSwitchinHighCurrentApplications •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRF9530PBF	文件：390.18 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •DESCRIPTION •Powermanagementinnotebookcomputer •Portableequipmentandbatterypoweredsystems •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.3Ω •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9530PBF	文件：158.27 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetp	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9530S	文件：184.57 Kbytes Page：8 Pages	Repetitiveavalancherated DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itpro	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF9530NSTRL-LF	IR	22+		6000	终端可免费供样,支持BOM配单	询价
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