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IRF9530NS	文件：297.81 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤200mΩ(@VGS=-10V;ID=-8.4A) •Advancedtrenchprocesstechnology •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Fastswitchingapplication.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9530NS	文件：1.07966 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheD2PakisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthehighestpowercapabilityandthelowestpossibleonresistanceinanyexistingsurfacemountpackage.TheD2Pakissuitableforhighcurrentapplicationsbecauseofitslowintern	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF9530NS	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：758.16 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedProcessTechnologySurfaceMount VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSPBF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPbF	文件：823.61 Kbytes Page：11 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF9530NSTRLPBF	文件：767.31 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF
IRF9530NSTRR	文件：173.15 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-100V,Rds(on)=0.20ohm,Id=-14A) VDSS=-100V RDS(on)=0.20Ω ID=-14A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignt	IRF International Rectifier	IRF

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