IRF9395M中文资料-30V 双 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET MC 封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为 -14 A。数据手册Infineon规格书
IRF9395M规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 双 P 通道 MOSFET
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
应用 Application
• 电池保护
技术参数
- 制造商编号
：IRF9395M
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET MC
- VDS max
：-30.0V
- RDS (on)(@10V) max
：7.0mΩ
- RDS (on) max
：7.0mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：11.9mΩ
- RDS (on)(@2.5V) max
：62.0mΩ
- Polarity
：P+P
- ID (@ TA=25°C) max
：-14.0A
- ID (@ TA=70°C) max
：-11.0A
- QG
：64.0nC
- RthJA max
：60.0K/W
- Qgd(typ)
：15.0nC
- VGS max
：20.0V
- Moisture Sensitivity Level
：1
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.1W
- Tj max
：150.0°C
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
MGDSON8(4.9x6.3)mm |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
309845 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
MG-WDSON-8 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
MG-WDSON-8 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
22+ |
QFN |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
DIRECTFET? MC |
9000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
IR |
23+ |
DirectFET MC |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
DirectFET MC |
7000 |
询价 | |||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
MG-WDSON-8 |
115000 |
4800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
询价 |
