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IRF9362数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF9362

功能描述

HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 23:01:00

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IRF9362规格书详情

特性 Features


优势:
• Optimized for broadest availability from distribution partners
• Optimized for 4.5V gate-drive voltage(called Logic level), capable of being driven at 2.5V gate-drive voltage (called Super Logic level)
• Reduced design complexity in high-side configuration (vs N-channel device)
• Easier interface to Microcontroller (vs N-channel device)
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF9362

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF9362TRPBF

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :SO8

  • VDS max

    :-30 V

  • RDS (on) @10V max

    :21 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max

    :32 mΩ

  • ID @25°C max

    :-8 A

  • QG typ @4.5V

    :13 nC

  • Polarity

    :P+P

  • VGS(th) min

    :-1.3 V

  • VGS(th) max

    :-2.4 V

  • VGS(th)

    :-1.8 V

  • Technology

    :IR MOSFET™

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