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IRFU9310	文件：832.21 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU9310	文件：116.78 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-400V,Rds(on)=7.0ohm,Id=-1.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRFU9310	文件：3.34658 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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IRFU9310	文件：3.34605 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesignerwithanextre	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU9310	文件：267.35 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Advancedprocesstechnology •Fullyavalancherated •Surface-mount(IRFR9310,SiHFR9310) •Straightlead(IRFU9310,SiHFU9310) •P-channel •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgenerat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFU9310PBF	文件：252.41 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPOWERMOSFET Description ThirdgenerationPowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknownfor,providesthedesig	IRF International Rectifier	IRF
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