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IRFHM830PBF	文件：234.94 Kbytes Page：8 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFHM830PBF	文件：865.24 Kbytes Page：10 Pages	BatteryOperatedDCMotorInverterMOSFET Features LowRDSon(	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRFI830	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI830B	文件：677.18 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescriptionTheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI830G	文件：170.66 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=500V,Rds(on)=1.5ohm,Id=3.1A) DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialap	IRF International Rectifier	IRF
IRFI830G	文件：1.56994 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI830G	文件：979.57 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
IRFI830G	文件：910.77 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF830SPBF
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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