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IRF830AS_V01	文件：242.75 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance please see www. 文件：242.75 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多IRF830AS_V01供应商更新时间2025-10-4 14:00:00