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IRF7901D1规格书详情
描述 Description
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFETMOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. Advanced HEXFETMOSFETs combined with low forward drop Schottky results in an extremely efficient device suitable for a wide variety of portable electronics applications.
• Co-Pack Dual N-channel HEXFET Power MOSFET
and Schottky Diode
• Ideal for Synchronous Buck DC-DC
Converters Up to 5A Peak Output
• Low Conduction Losses
• Low Switching Losses
• Low Vf Schottky Rectifier
产品属性
- 型号：
IRF7901D1
- 功能描述：
MOSFET DUAL N-CH 30V 6.2A 8-SOIC
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
FETKY™
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
NA |
6688 |
8 |
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