IRF7752中文资料IRF数据手册PDF规格书
IRF7752规格书详情
Description
HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design , that International Rectifier is well known for, provides thedesigner with an extremely efficient and reliable device for use in battery and load management.
● Ultra Low On-Resistance
● Dual N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (< 1.1mm)
● Available in Tape & Reel
产品属性
- 型号:
IRF7752
- 功能描述:
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 8-TSSOP
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列:
HEXFET®
- 产品目录绘图:
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装:
1
- 系列:
- FET
- 型:
2 个 N 沟道(双) FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
- 功率 -
- 最大:
1.4W
- 安装类型:
表面贴装
- 封装/外壳:
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:
PowerPAK? SO-8
- 包装:
Digi-Reel®
- 产品目录页面:
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称:
SI7948DP-T1-GE3DKR
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TSSOP-8 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
IR |
2016+ |
TSSOP8 |
2500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
8-TSSOP |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
IR |
18+ |
TSSOP-8 |
22757 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
8-TSSOP |
4000 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
3275 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |