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PAFE7700IABJ	文件：349.9 Kbytes Page：8 Pages	AFE7700Quad-ChannelGeneralPurposeRFTransceiver	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PCM-7700	文件：1.20335 Mbytes Page：6 Pages	PulsedCurrentSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI
PCM-7700-EX	文件：1.20335 Mbytes Page：6 Pages	PulsedCurrentSource	DEI Directed Energy, Inc	DEI
PT7700	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	15AMPHIGH-PERFORMANCEBIGHAMMERPROGRAMMABLEISR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RTN7700	文件：128.78 Kbytes Page：2 Pages	SiGeAutomotiveRadarVCOfor77GHz	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
SCI7700Y	文件：59.36 Kbytes Page：8 Pages	CMOSVOLTAGEDETECTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SCI7700YAA	文件：59.36 Kbytes Page：8 Pages	CMOSVOLTAGEDETECTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SCI7700YAS	文件：59.36 Kbytes Page：8 Pages	CMOSVOLTAGEDETECTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SCI7700YBA	文件：59.36 Kbytes Page：8 Pages	CMOSVOLTAGEDETECTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
SCI7700YCA	文件：59.36 Kbytes Page：8 Pages	CMOSVOLTAGEDETECTOR	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
IRF7700
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 8.6A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF7700供应商更新时间2025-7-23 15:56:00

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