选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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IORMSOP-8 |
1012 |
23+ |
全新原装现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRMSOP-8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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IRFMSOP-8P |
2000 |
00+ |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRFMSOP-8P |
35890 |
23+ |
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深圳市富芯乐电子科技有限公司9年
留言
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IRMSOP |
3200 |
22+ |
全新原装品牌专营 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IORMSOP-8 |
67471 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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IRMSOP8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
留言
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IRPLCC-32 |
18000 |
23+ |
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深圳市安罗世纪电子有限公司6年
留言
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3702 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8TSSOP 8MSOP |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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IRMSOP8 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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IRNA/ |
1000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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IRMSOP-8 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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IRMSOP8 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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深圳市吉银科技有限公司1年
留言
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IRC |
3672 |
1535+ |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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IRMSOP8 |
8000 |
22+ |
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原装正品支持实单 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IR原厂封装 |
9896 |
23+ |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesMicro8? |
4000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VBMSOP-8 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
IRF7523采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRF7523图片
IRF7523D1TRPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7523D1功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO-8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7523D1PBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7523D1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7523D1TRPBF功能描述:MOSFET N-CH 30V 2.7A MICRO8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件