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PJ744	文件：151.94 Kbytes Page：3 Pages	Bo챤tierpourboutons-poussoirsenpolyesterdetype4,4X	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
PJ744	文件：144.38 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
PJ744FS	文件：98.63 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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SIHF744	文件：1.00282 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipatio	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFI744G	文件：1.74605 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SSC-HYT744	文件：519.01 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
SSC-MBT744	文件：513.35 Kbytes Page：11 Pages	TOPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
ST744	文件：42.85 Kbytes Page：2 Pages	SILICONGATEENHANCEMENTMODERFPOWERVDMOSTRANSISTOR	Polyfet Polyfet RF Devices	Polyfet
TCO-744STH	文件：429.25 Kbytes Page：1 Pages	TTLlogicoutput	EPSONTOYOCOMEpson ToYoCom 爱普生爱普生拓优科梦	EPSONTOYOCOM

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详细参数

型号：
IRF744
功能描述：
MOSFET N-Chan 450V 8.8 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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