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IRF7403中文资料友台半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

IRF7403

功能描述

Generation VTechology

丝印标识

IRF7403

封装外壳

SOP-8

文件大小

434.59 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

UMW

中文名称

友台半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 23:01:00

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IRF7403规格书详情

Generation VTechology

Ultra Low On-Resistance NChannelMosfet

Surface Mount

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

Lead-Free

特性 Features

描述 Description

The SOP-8 has been modified throuah a customized leadframe

for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability

making it ideal in a variety of power applications. With these improvements,

multiple devices can be used in an application with

dramatically reduced board space.The package is designed for

vapor phase. infra red. or wave so derina techniaues.Power dissipation

of qreater than 0.8W is possible in a typical PCB mount

application.

产品属性

  • 型号:

    IRF7403

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    HEXFET®

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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