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IRF730F1中文资料Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R数据手册NJS规格书

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厂商型号

IRF730F1

功能描述

Trans MOSFET N-CH 20V 5.2A 8-Pin SOIC T/R

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-10-4 14:10:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :IRF730F1

  • 生产厂家

    :NJS

  • Minimum Operating Temperature

    :-55°C

  • Maximum Power Dissipation

    :2000mW

  • Maximum Operating Temperature

    :150°C

  • Maximum Gate Source Voltage

    :±12V

  • Maximum Drain Source Voltage

    :20V

  • Maximum Continuous Drain Current

    :5.2A

  • Material

    :Si

  • Configuration

    :Dual Dual Drain

  • Channel Type

    :N

  • Channel Mode

    :Enhancement

  • Category

    :Power MOSFET

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