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IRF6691TR1规格书详情
HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode
● Application Specific MOSFETs
● Integrates Monolithic Trench Schottky Diode
● Ideal for CPU Core DC-DC Converters
● Low Conduction Losses
● Low Reverse Recovery Losses
● Low Switching Losses
● Low Reverse Recovery Charge and Low Vf
● Low Profile (<0.7 mm)
● Dual Sided Cooling Compatible
● Compatible with existing Surface Mount Techniques
产品属性
- 型号：
IRF6691TR1
- 功能描述：
MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
IR |
22+ |
QFN |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
IOR |
25+ |
DIRECTFE |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
IR |
0811+ |
QFN |
975 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFETtradeIso |
7500 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
DirectFET? Isometric MT |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
24+ |
QFN |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
17+ |
DIRECTFET |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
QFN |
8540 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
24+ |
QFN |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 |
