首页 >IRF6691TR1>规格书列表

零件编号下载&订购功能描述制造商&上传企业LOGO

IRF6691TR1PBF

RoHs Compliant

Description TheIRF6691PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

详细参数

  • 型号:

    IRF6691TR1

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
2019+
QFN
36000
原盒原包装 可BOM配套
询价
IR
07+/08+
DirectFETtradeIso
7500
询价
IR
17+
DIRECTFET
6200
100%原装正品现货
询价
IR
2020+
QFN
2360
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
询价
IR
1342+
4000
原装现货
询价
IR
23+
SOT223
7750
全新原装优势
询价
IOR
2007
DIRECTFET
490
原装现货海量库存欢迎咨询
询价
IR
18+
QFN
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
IOR
21+
QFN/Dir
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
询价
IR
23+
QFN
90000
一定原装正品
询价
更多IRF6691TR1供应商 更新时间2024-5-28 15:08:00