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IRF6611TR1

文件：260.079 Kbytes

Page：10 Pages

RoHScompliantcontainingnoleadorbromide

Description TheIRF6611combinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeomet

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更多IRF6611TR1-LF供应商更新时间2024-6-18 14:00:00

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