IRF6607中文资料MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET数据手册Infineon规格书
技术参数
- 型号：
IRF6607
- 功能描述：
MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IOR |
24+ |
SMD |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SMD |
11500 |
原装现货,价格优势 |
询价 | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
IR |
6000 |
面议 |
19 |
QFN |
询价 | ||
INTERN.RECTI |
05+ |
原厂原装 |
4174 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
DirectFET |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
3000 |
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IR |
2447 |
DirectFET |
100500 |
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IR |
1923+ |
QFN |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
QFN |
8000 |
只做原装现货 |
询价 |
