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PT6604R	文件：1.86657 Mbytes Page：9 Pages	SingleDevice9AOutput	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
S6604	文件：912.96 Kbytes Page：7 Pages	SiCSchottkyBarrierDiodeBareDie Features 1)Lowforwardvoltage 3)Temperatureindependentswitchingbehavior 2)Negligiblerecoverytime/current 4)Highsurgecurrentcapability Applications ・SwitchModePowerSupply ・EVCharger ・UninterruptiblePowerSupply ・AirConditioner ・SolarInverter ・MotorDrive	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SPC6604	文件：263.88 Kbytes Page：11 Pages	N&PPairEnhancementModeMOSFET	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER
STS6604L	文件：613.88 Kbytes Page：10 Pages	N-andP-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS6604L	文件：244.83 Kbytes Page：11 Pages	DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel) RODUCTSUMMARY(N-Channel) VDSSIDRDS(ON)(mΩ)Max 204A75@VGS=2.5V 60@VGS=4.5V PRODUCTSUMMARY(P-Channel) VDSSIDRDS(ON)(mΩ)Max -20V-2.5A190@VGS=-2.5V 138@VGS=-4.5V	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC6604	文件：165.12 Kbytes Page：5 Pages	TransistorSiliconPNPEpitaxialType	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC6604	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPD6604	文件：415.72 Kbytes Page：66 Pages	MOSINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Programmemory(ROM):1002´10bits •Datamemory(RAM):32´4bits •Built-incarriergenerationcircuitforinfraredremotecontrol •9-bitprogrammabletimer:1channel •Commandexecutiontime:8ms(whenoperatingatfOSC=1MHz:RCoscillation) •Stacklevel:1level	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPD6604	文件：268.95 Kbytes Page：64 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERFORINFRAREDREMOTECONTROLTRANSMISSION SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPD6604GS	文件：268.95 Kbytes Page：64 Pages	4-BITSINGLE-CHIPMICROCONTROLLERFORINFRAREDREMOTECONTROLTRANSMISSION SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
IRF6604TR
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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