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MP6601	文件：414.62 Kbytes Page：14 Pages	35V,2.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
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MP6601GU	文件：414.62 Kbytes Page：14 Pages	35V,2.5A,StepperMotorDriver	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MPS6601	文件：91.95 Kbytes Page：7 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6601	文件：69.6 Kbytes Page：2 Pages	NPN(AMPLIFIERTRANSISTOR)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
MPS6601	文件：246.1 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistors VoltageandcurrentarenegativeforPNPtransistors	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MPS6601	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MPS6601	文件：82.11 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYHIGHCURRENTAMPLIFIERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
MPS6601	文件：122.37 Kbytes Page：2 Pages	NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit NJSemi-Conductorsreservestherighttochangetestconditions,parameterlimit	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MPS6601G	文件：79.14 Kbytes Page：8 Pages	AmplifierTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
IRF6601
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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