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IRFW644A

AdvancedPowerMOSFET

FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowerRDS(ON):0.214Ω(Typ.)

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

IRFW644B

250VN-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

ISO644X

ISO644xGeneral-Purpose,Reinforced,Quad-ChannelDigitalIsolatorsWithRobustEMC

1Features •Upto100Mbpsdatarate •RobustSiO2isolationbarrier: –Widetemperaturerange:–40°Cto125°C –Upto5000VRMSisolationrating –Upto10.4kVsurgecapability –±100kV/μstypicalCMTI •Supplyrange:2.25Vto5.5V •Defaultoutputhigh(ISO644x)andlow (ISO644xF)op

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

KPC644

Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistoftwoGalliumArsenideInfraredEmitting)

KODENSHIKODENSHI_AUK CORP.

可天士可天士光电子集团

KRC644T

EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(HIGHCURRENTSWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT)

HIGHCURRENTSWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighOutputCurrent:800mA.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

L644

PowerModules

•LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections

crydom

Crydom Inc.,

L644F

PowerModules

•LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections

crydom

Crydom Inc.,

MCS644D

Sub-miniatureSlideSwitches

COPALCopal Electronics

尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司

MCS644DD

Sub-miniatureSlideSwitches

COPALCopal Electronics

尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司

MCS644E

Sub-miniatureSlideSwitches

COPALCopal Electronics

尼得科科智博电子尼得科科智博电子(上海)有限公司

详细参数

  • 型号:

    IRF644L

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 250V 14A TO-262

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    -

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-263
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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英瑞芯只做原装正品!!!
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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原装正品,支持实单
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TO-263
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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TO-263
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原厂原装正品
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更多IRF644L供应商 更新时间2025-5-28 16:35:00