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IRFS630A	文件：261.36 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea LowerLeakageCurrent:10㎂(Max.)@VDS=200V LowRDS(ON):0.333(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS630A	文件：59.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS630A	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFS630B	文件：859.81 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW630B	文件：1.03019 Mbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRL630	文件：324.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,RdS(on)=0.40ohm,Id=9.0A) VDSS=200V RDS(on)=0.40Ω ID=9.0A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL630	文件：494.48 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMosfet	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

详细参数

型号：
IRF630NSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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