IRF630NSTRR技术资料参数贸易商Vishay第3页-114ic电子网

首页 >IRF630NSTRR>规格书列表

零件编号	下载订购	功能描述/丝印	制造商上传企业	LOGO
IRFI630	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630B	文件：648.95 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI630B	文件：1.03019 Mbytes Page：8 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •9.0A,200V,RDS(on)=0.4Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical22nC) •LowCrss(typical22pF) •Fastswitching •100av	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI630G	文件：176.76 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.40ohm,Id=5.9A) 200VN-ChannelMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI630G	文件：921.1 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI630GPBF	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI630GPBF	文件：921.1 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS630	文件：971.91 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
IRFS630	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
IRF630NSTRR
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRF630NSTRR	IR	2016+	TO-263	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市凌旭科技有限公司	IRF630NSTRR	IR	2016+	TO-263	6000	公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票!	询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRF630NSTRR	IR	23+	TO-263	9500	专业优势供应	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRF630NSTRR	IR	17+	TO-263	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRF630NSTRR	I	24+	D2PAK	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRF630NSTRR	IR	23+	TO-263	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRF630NSTRR	IT	2020+	SOT-263	9500	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	IRF630NSTRR	Infineon Technologies	21+	D2PAK	800	100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	IRF630NSTRR	IR	24+	TO-263	65200	一级代理/放心采购	询价
深圳市科雨电子有限公司	IRF630NSTRR	INFINEON	1503+	TO-263	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

更多IRF630NSTRR供应商更新时间2025-7-19 16:39:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号