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IRL620A	文件：222 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.8Ω ID=5A FEATURES ♦Logic-LevelGateDrive ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):0.609Ω	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL620A	文件：280.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL620PBF	文件：2.03127 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.80 Qg(Max.)(nC)16 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)9.6 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivene	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL620PBF	文件：1.3385 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80Ω ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcomme	IRF International Rectifier	IRF
IRL620PBF	文件：2.20053 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL620S	文件：502 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=5.2A) VDSS=200V RDS(on)=0.80Ω ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
IRL620S	文件：1.47104 Mbytes Page：10 Pages	SurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL620S	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logiclevelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRL620SPBF	文件：1.39136 Mbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=200V RDS(on)=0.80Ω ID=5.2A Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness.TheSMD-220isasurface-mountpowerpackagecapableofa	IRF International Rectifier	IRF
IRL620SPBF	文件：1.48363 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Logiclevelgatedrive •RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRF620STRL
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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