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IRLHM620TRPBF	文件：222.27 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRLI620	文件：339.78 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=4.0A) Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu	IRF International Rectifier	IRF

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PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.80ohm,Id=4.0A)

Description ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowonresistanceandcost-effectiveness. TheTO-220Fullpakeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-indu

IRF

International Rectifier

IRF

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详细参数

型号：
IRF620B
功能描述：
MOSFET 200V Single
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IRF620B供应商更新时间2025-7-28 16:12:00

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