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JCT610H	文件：397.19 Kbytes Page：6 Pages	10ASCRs DESCRIPTION: JCT610/810seriesofsiliconcontrolledrectifiers,withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharg	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JTC610	文件：441.12 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE&USAGE	WinchesterWinchester Electronics Corporation 温彻斯特温彻斯特电子	Winchester
JXTC610	文件：441.12 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINE&USAGE	WinchesterWinchester Electronics Corporation 温彻斯特温彻斯特电子	Winchester
K610	文件：1.43765 Mbytes Page：4 Pages	PLATFORMCONTROLSYSTEMFORBATTERYPOWEREDSCISSORLIFT MainFeatures •CoDeSysplatform,moduledesignanduser-friendlysoftware •Visualdebuginterfaceandon-linediagnostic. •3PWMchannelswithcurrentfeedbackandclosed-loopcontrol •Supportanalogcurrent&analogvoltagemultiplexInput •2IsolatedCANchannels •PowerfulMCU •Dir	SensataSensata Technologies, Inc. 森萨塔	Sensata
KBJ610	文件：220.48 Kbytes Page：2 Pages	Single-phaseSiliconBridgeRectifierReverseVoltage50to1000VForwardCurrent6.0A [DACHANGELECTRONICS] ReverseVoltage50to1000V ForwardCurrent6.0A Features •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecapability •170ASurgeoverloadrating:170Amperespeak	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
KBJ610	文件：41.12 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-6.0Amperes FEATURES ●Ratingto1000VPRV ●Idealforprintedcircuitboard ●Lowforwardvoltagedrop,highcurrentcapability ●Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininexpensiveproduct	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
KBJ610	文件：341.09 Kbytes Page：2 Pages	BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS3.0to6.0Amps BRIDGERECTIFIERS6.0to8.0Amps	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
KBJ610	文件：386.969 Kbytes Page：2 Pages	6A1000VRectifyingbridge	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
IRF610L
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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