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IT610	文件：183.02 Kbytes Page：4 Pages	ISOTABTRIACSELECTRICALLYISOLATED [HUTSONINDUSTRIES]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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IXDP610	文件：181.71 Kbytes Page：8 Pages	BusCompatibleDigitalPWMController,IXDP610 Description TheIXDP610DigitalPulseWidthModulator(DPWM)isaprogrammableCMOSLSIdevicewhichacceptsdigitalpulsewidthdatafromamicroprocessorandgeneratestwocomplementary,non-overlapping,pulsewidthmodulatedsignalsfordirectdigitalcontrolofswitchingpowerbridge.TheDPW	IXYS IXYS Corporation	IXYS
JCT610	文件：397.19 Kbytes Page：6 Pages	10ASCRs DESCRIPTION: JCT610/810seriesofsiliconcontrolledrectifiers,withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharg	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JCT610A	文件：397.19 Kbytes Page：6 Pages	10ASCRs DESCRIPTION: JCT610/810seriesofsiliconcontrolledrectifiers,withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharg	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JCT610B	文件：397.19 Kbytes Page：6 Pages	10ASCRs DESCRIPTION: JCT610/810seriesofsiliconcontrolledrectifiers,withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharg	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE
JCT610F	文件：397.19 Kbytes Page：6 Pages	10ASCRs DESCRIPTION: JCT610/810seriesofsiliconcontrolledrectifiers,withhighabilitytowithstandtheshockloadingoflargecurrent,providehighdv/dtratewithstrongresistancetoelectromagneticinterference.Theyareespeciallyrecommendedforuseonsolidstaterelay,motorcycle,powercharg	JIEJIEJIEJIE MICROELECTRONICS CO.,Ltd 捷捷微电江苏捷捷微电子股份有限公司	JIEJIE

详细参数

型号：
IRF610L
功能描述：
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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