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NTD5806NG	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTE5806	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE
NVD5806N	文件：84.83 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVD5806N	文件：260.589 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=19mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
P5806NVG	文件：1.08878 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
P5806NVG	文件：228.6 Kbytes Page：8 Pages	N-&P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
PT5806	文件：203.27 Kbytes Page：11 Pages	18-A5-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
PT5806	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
PT5806A	文件：227.11 Kbytes Page：13 Pages	18AOutputCurrent	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
RO5806NF	文件：503.92 Kbytes Page：3 Pages	AllNMOmountantennaslistedinthiscatalogsectionrequiretheNMOHF-style	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

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详细参数

型号：
IRF5806
功能描述：
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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