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MSK5805KRH	文件：1.45329 Mbytes Page：11 Pages	RADHARDULTRALOWDROPOUTADJUSTABLEPOSITIVELINEARREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
MSK5805KRHG	文件：1.45329 Mbytes Page：11 Pages	RADHARDULTRALOWDROPOUTADJUSTABLEPOSITIVELINEARREGULATOR	ANARENAnaren Microwave 安伦	ANAREN
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NTD5805N	文件：104.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5805N	文件：132.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,51A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD5805N	文件：299.68 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=51A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5805NG	文件：132.94 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,51A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
IRF5805TRPB
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF5805TRPB供应商更新时间2025-7-26 17:26:00

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