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IRF5805TRPBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
IRF5805TRPBF	文件：1.13915 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KR5805S	文件：188.57 Kbytes Page：12 Pages	SingleColor?5FlushMountRoundShapeType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
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KS5805	文件：305.75 Kbytes Page：6 Pages	TELEPHONEPULSEDIALERWITHREDIAL	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
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LC5805	文件：881.93 Kbytes Page：32 Pages	SINGLE-CHIP4-BITMICROCOMPUTERWITHLCDDRIVERS SINGLE-CHIP4-BITMICROCOMPUTERWITHLCDDRIVERS	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

详细参数

型号：
IRF5805TRPB
功能描述：
MOSFET MOSFT PCh -30V -3.8A 98mOhm 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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