IRF5800中文资料PDF规格书
IRF5800规格书详情
Description
These P-channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.
● Ultra Low On-Resistance
● P-Channel MOSFET
● Surface Mount
● Available in Tape & Reel
● Low Gate Charge
产品属性
- 型号:
IRF5800
- 功能描述:
MOSFET P-CH 30V 4A 6-TSOP
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
HEXFET®
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
NA/ |
1280 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
2016+ |
SOT-163 |
18070 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
2020+ |
SOT23-6 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON |
22+ |
36000 |
原厂原装,价格优势!13246658303 |
询价 | |||
IR |
23+ |
SOT23-6 |
20000 |
原厂原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
20+ |
SOP6 |
2960 |
诚信交易大量库存现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
SOT236 Thin TSOT236 |
13880 |
公司只售原装,支持实单 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TSOP-6 |
354000 |
询价 | |||
INFINEON |
2022+ |
SOT23-6 |
57550 |
询价 | |||
IR |
1822+ |
SOT-163 |
6852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
询价 |