IRF540中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书
IRF540规格书详情
描述 Description
These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.
● Low RDS(on)
● VGS Rated at ±20 V
● Silicon Gate for Fast Switching Speeds
● IDSS. VDS(on), Specified at Elevated Temperature
● Rugged
● Low Drive Requirements
● Ease of Paralleling
产品属性
- 型号：
IRF540
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 28 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
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IR |
2024+ |
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IR |
24+ |
TO-220 |
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IR |
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IR |
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D2-pak |
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TO-220C |
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IR |
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NA |
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IR |
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