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IRFI530NPBF	文件：227.95 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFI530NPBF	文件：506.88 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRFI530NPBF	文件：228.92 Kbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFS530	文件：261.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS530	文件：270.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS530A	文件：261.39 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS530A	文件：271.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFW530A	文件：263.86 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■175°COperatingTemperature ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ■LowerRDS(ON):0.092Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF530NLPBF
制造商：
International Rectifier
功能描述：
MOSFET, 100V, 17A, 90 MOHM, 24.7 NC QG, TO-262
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-262
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 17A 3PIN TO-262 - Rail/Tube
功能描述：
MOSFET N-CH 100V 17A TO-262

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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