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IRF3711S	文件：245.69 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)max=6.0mohm, Id=110A?? SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConv	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711S	文件：27.59 Kbytes Page：2 Pages	POWER MANAGEMENT CHIPSET FOR 3-PHASE VRM 9.0 CONVERTERS DESCRIPTION TheIRUK3055CQ01isacompletepowermanagementchipsetsolutionthatmeetsIntel’sVRM9.0specificationsforCPUpower.ThechipsetconsistsoftheIRU3055CQ3-phasePWMICandmatchingcontrol(IRF3704S)andsynchronousMOSFETs(IRF3711S). FEATURES CompleteVRM9.0chipse	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711SPBF	文件：291.73 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET Power MOSFET SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConverte	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711SPBF	文件：292.69 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConverte	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711STRLPBF	文件：292.69 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use SMPSMOSFET Benefits ●Ultra-LowGateImpedance ●VeryLowRDS(on)at4.5VVGS ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighFrequencyIsolatedDC-DC ConverterswithSynchronousRectification forTelecomandIndustrialUse ●HighFrequencyBuckConverte	IRF International Rectifier	IRF
IRF3711STRL	文件：275.21 Kbytes Page：12 Pages	High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRF3711S
功能描述：
MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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