IRF3575D数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
IRF3575D |
| 参数属性 | IRF3575D 封装/外壳为32-PowerWFQFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN |
| 功能描述 | 60A 露顶集成功率块单相同步降压转换器，具有一对联合封装控制和同步 MOSFET。 |
| 封装外壳 | 32-PowerWFQFN |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 18:17:00 |
| 人工找货 | IRF3575D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRF3575D规格书详情
应用 Application
• 台式机和工作站
• 多相 PowIRstage
• 服务器和存储
简介
IRF3575D属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的IRF3575D晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRF3575D
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：PQFN 6 x 6
- VDS max
：25.0V
- RDS (on)(@10V) max
：0.9mΩ
- RDS (on) max
：0.9mΩ
- RDS (on) max
：0.9mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：0.9mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：1.35mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：1.35mΩ
- Polarity
：N+N
- Polarity
：N+N
- ID (@ TC=100°C) max
：243.0A
- ID max
：303.0A
- ID (@ TC=70°C) max
：303.0A
- RthJA max
：19.1K/W
- Moisture Sensitivity Level
：2
- VGS max
：16.0V
- Qgd(typ)
：5.2nC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
16+ |
QFN |
2730 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
1948+ |
QFN |
6852 |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
询价 | ||
IR |
18+ |
QFN |
6386 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
IR |
21+ |
30SIPMLPQ |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
QFN |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
IR |
2402+ |
QFN |
8324 |
原装正品!实单价优! |
询价 | ||
IR |
24+ |
QFN |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
23+ |
PQFN 6 x 6 |
8000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
PQFN6X6 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
QFN |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 |
