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IRF3546M数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IRF3546M

功能描述

60A双集成电源模块。两对高性能控制和同步 MOSFET。25V 四路 N 通道 HEXFET Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-12 18:17:00

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IRF3546M规格书详情

特性 Features


优势:
• 峰值效率在 1.2V 下高达 94%
• 两对控制和同步 MOSFET,采用单一 PQFN 封装。
• 专有封装大程度地降低了封装的寄生效应,简化了PCB布局
• 输入电压 (VIN) 范围:4.5V 到21V
• 输出电流能力为 30A/相
• 超低 Rg MOSFET 技术可最大限度地降低开关损耗,从而优化高频性能
• 具有单片集成肖特基二极管的同步 MOSFET 可减少死区时间和二极管反向恢复损耗
• 有效双面冷却
• 小型 6mm x 8 mm x 0.9mm PQFN 封装
• 无铅,符合 RoHS 封装
• FastIRFET™
 
 
 

应用 Application

• 台式机和工作站
• 图形板
• 多相 PowIRstage
• 服务器和存储

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF3546M

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :PQFN 6 x 8

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.8mΩ

  • RDS (on) max

    :1.8mΩ

  • RDS (on)(@4.5V) max

    :2.2mΩ

  • ID (@ TC=100°C) max

    :16.0A

  • ID  max

    :20.0A

  • ID (@ TC=70°C) max

    :20.0A

  • QG 

    :22.0nC 

  • RthJA max

    :18.4K/W

  • Moisture Sensitivity Level 

    :3

  • Qgd(typ) 

    :6.0nC 

  • VGS max

    :20.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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