IRF3415S中文资料150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package数据手册Infineon规格书
IRF3415S规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
技术参数
- 制造商编号
:IRF3415S
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF3415STRLPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:D2PAK
- VDS max
:150 V
- RDS (on) @10V max
:42 mΩ
- ID @25°C max
:43 A
- QG typ @10V
:133.3 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:2 V
- VGS(th) max
:4 V
- VGS(th)
:3 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原厂封装 |
2138 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
D2PAK (TO-263) |
32568 |
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IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
TO-263-2 |
25000 |
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IR |
05+ |
TO-263 |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
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TO263-3 |
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IR |
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SOT-263 |
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IR |
23+ |
TO-263 |
30000 |
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INFINEON |
23+ |
原封 □ |
21500 |
INFINEON优势 /原装现货长期供应现货支持 |
询价 |