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KTC3205	文件：450.06 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTC3205	文件：903.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage. Features ComplementarypairwithKTA1273. Applications Highcurrentapplication.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
KTC3205	文件：123.91 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:30V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
KTC3205	文件：292.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistor Features •PowerDissipation:1W(Tamb=25°C) •CollectorCurrent:2A •Collector-baseVoltage:30V •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Marking:KTC3205 •LeadFreeFinish/RohsCompliant(PSuffixdesignates Compliant.Seeorderinginformation) •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
KTC3205	文件：83.67 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC3205	文件：57.1 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Audiopoweramplifier ●HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
KTC3205	文件：53.99 Kbytes Page：1 Pages	EpitaxialPlanarNPNTransistor ■Features ●CollectorPowerDissipation:PC=500mW ●CollectorCurrent:IC=2A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KTC3205	文件：1.83159 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES Highcurrentapplication ComplementarytoKTA1273	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
KTC3205	文件：596.09 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARTRANSISTOR(NPN) FEATURES ComplementarytoKTA1273 HighCurrentApplication SurfaceMountdevice	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
KTC3205-O	文件：57.1 Kbytes Page：1 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor FEATURE ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat). ●Audiopoweramplifier ●HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

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详细参数

型号：
IRF3205STRL
功能描述：
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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