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IRF1704	文件：102.09 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A?? Description Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET® power MOSFET has a 200°C max operating temperature with a Stripe Planar design that utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this HEXFET® 文件：102.09 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF1704	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A⑥)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRK.170	文件：157.74 Kbytes Page：6 Pages	SCR / SCR and SCR / DIODE 文件：157.74 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
ISCRF170	文件：252.44 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor 文件：252.44 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
JANMQSMCGLCE170	文件：241.7 Kbytes Page：4 Pages	1500 WATT LOW CAPACITANCE SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR DESCRIPTION This surface mount TransientVoltage Suppressor (TVS) product family includes a rectifier diode element in series and opposite direction to achieve low capacitance below 100 pF. They are also available as RoHS Compliant with an e3 suffix. The low TVS capacitance may be used for prote 文件：241.7 Kbytes 页数：4 Pages	Microsemi 美高森美	Microsemi

详细参数

型号：
IRF170
功能描述：
MOSFET N-CH 40V 170A TO-220AB
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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