| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-220/TO-263 |
10000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,现货供应IRF1407,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
留言
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29000 |
23+ |
原装正品 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
88000 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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英飞凌TO-220 |
30000 |
19+ |
IRF1405PBF,TO-220,英飞凌全新原装正品,大量现货,价格优惠,支持实单,欢迎广大客户来电咨询! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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SOP-8 |
2500 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-220-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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IRTO-263 |
8000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
88000 |
2118+ |
只做现货 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
8664 |
21+ |
全新、原装 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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IRNN/A |
995 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
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INFINEON/英飞凌TO220 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
9865 |
23+/24+ |
原装正品,专业分销中高压MOS管 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-263 |
1230 |
19+ |
主营IR可含税只做全新原装正品现货 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司11年
留言
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INFINEON/IRTO263 |
25000 |
23+ |
代理原装现货,假一赔十 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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原厂原包原装 |
38560 |
2022+ |
原装进口现货,工厂客户可以放款。17377264928微信同 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO220 |
10274 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRTO-220 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-220 |
8000 |
20+ |
进口原装假一赔十支持含税 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼516网站http://www.kehengweiyedz.cn网站http://www.kehengweiye.com邮箱：yulin522@126.com0755-8320005015817287769柯先生
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北京天阳诚业科贸有限公司是一家具有丰富的电子元器件分销经验的全球分销商。我们坚持只做原装正品，在全世界内分销、收购过剩库存，公司备有大量现货，同时我们代购国外代理商的库存。可以为客户长期备货和跟原厂定期货。TE，Tyco，AMP，MOLEX，，DELPHI，APTIV，JAE，YAZAKI，，JST，KET，Souriau，L-com，Schaff
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更多IRF140制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 28A 3-Pin(2+Tab) TO-3 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 28A 3PIN TO-204AE - Bulk 制造商:INTERNATIONAL WIRE 功能描述:MOSFET 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET, 100V, 28A, TO-204AE; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:28A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):77mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; No. of Pins:2 ;RoHS Compliant: No 制造商:TT Electronics / Semelab 功能描述:MOSFET N-Channel 100V 28A TO-3
IRF1404功能描述:MOSFET MOSFET, 40V, 162A, 4 mOhm, 160 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404L功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404LPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404PBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404S功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404SPBF功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRLPBF功能描述:MOSFET MOSFT 40V 162A 4mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF1404STRR功能描述:MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF1404STRRPBF功能描述:MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
