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IRF135S203中文资料135V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak (TO-263) 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IRF135S203

功能描述

135V 单个 n 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak (TO-263) 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 11:26:00

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IRF135S203规格书详情

特性 Features


优势:
• 改善栅极, 雪崩以及动态 dV/dt 坚固性
• 经过充分验证的电容和雪崩安全工作区( SOA)
• 增强的体二极管dV/dt 和 dI/dt 能力
• 无铅,符合 RoHS ,无卤素
 

技术参数

  • 制造商编号

    :IRF135S203

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IRF135S203

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :D2PAK

  • VDS max

    :135 V

  • RDS (on) @10V max

    :8.4 mΩ

  • ID @25°C max

    :129 A

  • QG typ @10V

    :180 nC

  • Polarity

    :N

  • VGS(th) min

    :2 V

  • VGS(th) max

    :4 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Technology

    :StrongIRFET™

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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