IRC830PBF数据手册Vishay中文资料规格书
技术参数
- 型号：
IRC830PBF
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
5500 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-220 |
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IR/Vishay |
22+ |
TO-220-5 |
25000 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
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TO220 |
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IR |
TO-220 |
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Vishay Siliconix |
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TO2205 |
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IR |
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Vishay Siliconix |
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IR |
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TO-220-5 |
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