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IRF730	文件：95.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffastswitching,loweron-resistanceandreasonablecost. TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-ACconvert	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF730	文件：128.44 Kbytes Page：1 Pages	N-channelmosfettransistor Features •WithTO-220package •Simpledriverequirements •Fastswitching •VDSS=400V;RDS(ON)≤1.0Ω;ID=5.5A •1.gate2.drain3.source	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF730	文件：848.7 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,5.5A,350V/400V Description Thesedevicesaren-channol,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. •VQSRatedat±20V •SiliconGateforFastSwitchingSp	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF730	文件：277.08 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF730	文件：341.04 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF730areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. FEATURES ●RDS(ON)=1.00Ω@VGS=10V ●Ultralowgatec	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF730	文件：100.66 Kbytes Page：3 Pages	6.0A400VNCHANNELPOWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThisPowerMOSFETisdesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,conveters,solenoidandrelaydrivers. FEATURES ◆HigherCurrentRating ◆LowerrDS(ON),LowerCapacitances ◆LowerTotalGateCharge ◆TighterVSDSp	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
IRF730	文件：355.59 Kbytes Page：16 Pages	HighPowerFactor/LowTHD	IRF International Rectifier	IRF
IRF730	文件：365.66 Kbytes Page：6 Pages	6.0A,400V,1.0廓N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION ➤IRF730is400VHighvoltageN-Channelenhancement modepowerMOS-FETchipfabricatedinadvanced siliconepitaxialplanartechnology; ➤Advancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapability; ➤AvalancheEnergySpecified; ➤Source-to-DrainDiodeRecov	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF730	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF730	文件：156.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinformationaboutpartsthatare RoH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
IRC730
制造商：
IRF
制造商全称：
International Rectifier
功能描述：
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.0ohm, Id=5.5A)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	IRC730	IR	24+	TO-2205-Pin(HEXSen	8866		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRC730	IR	23+	TO-2205-Pin(	8600	全新原装现货	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRC730	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
深圳市华来深电子有限公司	IRC730	IR	23+	TO-220-5	11846	一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRC730	VB	21+	TO220AB	10000	原装现货假一罚十	询价
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易创佳业科技（深圳）有限公司	IRC730	I	23+	TO220AB	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRC730	IR	23+	TO-220-5	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRC730	IR	23+	TO-220-5	7300	专注配单,只做原装进口现货	询价
天津市博通航睿技术有限公司	IRC730	IR	23+	TO220AB	7000		询价

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