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IR2301PbF	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS 文件：187.91 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2301PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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IR2301SPbF	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS 文件：187.91 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IR2301PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
130ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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