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MMUN2233	文件：2.45656 Mbytes Page：11 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateBiasResistorTransistor SOT-23Plastic-EncapsulateBiasResistorTransistor NPNSilicon	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
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MMUN2233L	文件：149.14 Kbytes Page：12 Pages	DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k DigitalTransistors(BRT)R1=4.7k,R2=47k NPNTransistorswithMonolithicBiasResistorNetwork Thisseriesofdigitaltransistorsisdesignedtoreplaceasingledeviceanditsexternalresistorbiasnetwork.TheBiasResistorTransistor(BRT)containsasingletransistorwithamono	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
IR2233STRPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
3 相
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
250mA，500mA
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
90ns，40ns
工作温度：
125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
28-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC

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