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IR2213PBF	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2213PBF	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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IR2213PBF_15	文件：1.20988 Mbytes Page：18 Pages	High and Low Side Driver	IRF International Rectifier	IRF
IR2213PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2213S	文件：1.22362 Mbytes Page：18 Pages	HighandLowSideDriver Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2213SPBF	文件：439.23 Kbytes Page：15 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER Description TheIR2213(S)isahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithindependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRF International Rectifier	IRF
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K2213ALM	文件：3.51246 Mbytes Page：5 Pages	boxesandancillaryproducts	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

产品属性

产品编号：
IR2213PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
12V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2.5A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
25ns，17ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
14-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
14-DIP
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

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