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深圳市润联芯城科技有限公司

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IR2136STRPBF

INFINEON/英飞凌SOP28

4000

19+

只做原装正品

深圳市赛尔通科技有限公司

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16年 留言

IR2136STR

IRSOP-28

65400

23+

深圳市震川精密科技有限公司

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IR2136STR

STSOIC28

2000

26+

只做原装

深圳市中联芯电子有限公司

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10年 留言
IR2136STRPBF

IRSOP-28

33390

24+

原装现货假一赔十

深圳市创盛芯科技有限公司

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IR2136STRPBF

INFINEON/英飞凌SOIC-28

9000

25+

全新原装正品支持含税

柒号芯城电子商务(深圳)有限公司

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IR2136STRPBF

IRN/A

70000

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柒号只做原装 现货价秒杀全网

深圳市澳亿芯电子科技有限公司

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4年 留言
IR2136STRPBF

INFINEON/英飞凌SOP28

12000

24+

进口原装 价格优势

深圳市力仕科电子科技有限公司

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IR2136STRPBF

Infineon(英飞凌)SOP28

225

25

QQ询价 绝对原装正品

深圳市联世界科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP28

2000

23+

原装现货可持续供货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOP

9850

2450+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市能创芯电子科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-28

10000

23+

进口原装现货

深圳市星宇佳科技有限公司

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37IR

8

28

92

深圳市英博尔电子有限公司

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InfineonSOP28

10000

2301+

全新、原装

深圳市科恒伟业电子有限公司

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    深圳市福田区振兴路101号华匀大厦1栋5楼B14

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IRSOP

8575

2550+

只做原装正品现货或订货假一赔十!

深圳市明嘉莱科技有限公司

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INFINEONSOP-28

918000

25+

明嘉莱只做原装正品现货

深圳市得捷芯城科技有限公司

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Infineon(英飞凌)SOIC-28-300mil

12421

25+

原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。

深圳市胜彬电子有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP-28

8000

2038+

原装正品现货假一罚十

深圳市恒达亿科技有限公司

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INFINEONSOP28

6000

25+

全新原装现货、诚信经营!

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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IRSOP28

20000

21+

只做原装,质量保证

深圳市赛特兴科技有限公司

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    深圳市福田区华强北路1016号宝华大厦A座1888A室

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InfineonN/A

8880

23+

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IR2136STRPBF价格

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IR2136STR功能描述:IC DRIVER 3PHASE 600V 28-SOIC RoHS:否 类别:集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:50 系列:- 配置:高端 输入类型:非反相 延迟时间:200ns 电流 - 峰:250mA 配置数:1 输出数:1 高端电压 - 最大(自引导启动):600V 电源电压:12 V ~ 20 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:通孔 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm) 供应商设备封装:8-DIP 包装:管件 其它名称:*IR2127

IR2136STRHR制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET DRVR 600V 0.35A 6-OUT HI/LO SIDE 3-PHASE BRDG INV 28S - Tape and Reel

IR2136STRPBF功能描述:功率驱动器IC 3Phs Drvr Sft Trn On Invrt 200ns RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube

产品属性

  • 产品编号:

    IR2136STR

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    管件

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    3 相

  • 栅极类型:

    IGBT,N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    10V ~ 20V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,3V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    200mA,350mA

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    125ns,50ns

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    28-SOIC(0.295",7.50mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    28-SOIC

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28SOIC