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IR2125STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2125STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2125Z	文件：245.33 Kbytes Page：16 Pages	CURRENTLIMITINGSINGLECHANNELDRIVER	IRF International Rectifier	IRF
IR2125Z	文件：140.18 Kbytes Page：16 Pages	CURRENTLIMITINGSINGLECHANNELDRIVER Description TheIR2125Zisahighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverwithover-currentlimitingprotectioncircuitry.ProprietaryGVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedminilithicconsturction.LogicinputsarecompatiblewithstandardCMOSorLSTTLoutputs.theo	IRF International Rectifier	IRF
JT2125FA	文件：975.8 Kbytes Page：45 Pages	MouldedCaseCircuitBreakers16-2500AmperesforIEC60947-2Applications	EATONEaton All Rights Reserved. 伊顿伊顿公司	EATON
KOM2125	文件：241.18 Kbytes Page：4 Pages	NEU:2fach-Silizium-PIN-FotodiodeinSMTNEW:2-ChipSiliconPINPhotodiodeinSMT Features ●Especiallysuitableforapplicationsfrom400nmto1100nm ●Shortswitchingtime(typ.25ns) ●Suitableforvapor-phaseandIR-reflowsoldering ●SuitableforSMT Applications ●Follow-upcontrols ●Edgedrives ●Industrialelectronics ●Forcontrolanddrivecircuits	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
KOM2125	文件：195.61 Kbytes Page：5 Pages	2fach-Silizium-PINFotodiodeinSMT Features •Especiallysuitableforapplicationsfrom400nmto1100nmandof880nm(KOM2125FA) •Shortswitchingtime(typ.25ns) •Suitableforvapor-phaseandIR-reflowsoldering •SuitableforSMT Applications •Follow-upcontrols •Edgedrives •Industrialelectronics •Forcontr	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
KOM-2125	文件：452.56 Kbytes Page：11 Pages	Suitableforapplicationsfrom400nmto1100nm	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
KOM2125FA	文件：195.61 Kbytes Page：5 Pages	2fach-Silizium-PINFotodiodeinSMT Features •Especiallysuitableforapplicationsfrom400nmto1100nmandof880nm(KOM2125FA) •Shortswitchingtime(typ.25ns) •Suitableforvapor-phaseandIR-reflowsoldering •SuitableforSMT Applications •Follow-upcontrols •Edgedrives •Industrialelectronics •Forcontr	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
LR2125	文件：347.51 Kbytes Page：8 Pages	300mASELECTABLEFIXED/ADJUSTABLELOWDROPOUTLINEARREGULATOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL

产品属性

产品编号：
IR2125STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
0V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1.6A，3.3A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
43ns，26ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC

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