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MSA-2011-BLKG	文件：175.09 Kbytes Page：7 Pages	SiliconBipolarRFICAmplifiers Description TheMSA-2011andMSA-2086arehighperformancesiliconbipolarRFICamplifiersdesignedtobecascadablein 50Ωsystems.ThestabilityfactorofK>1contributestoeasycascadinginnumerousnarrowandbroadbandIF andRFcommercialandindustrialapplications. Feature	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
MSD2011TXV	文件：426.42 Kbytes Page：11 Pages	1504-Character5x7DotMatrixSerialInputAlphanumericMilitaryDisplay	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
MSD2011TXVB	文件：426.42 Kbytes Page：11 Pages	1504-Character5x7DotMatrixSerialInputAlphanumericMilitaryDisplay	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
MT2011	文件：79.87 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-CHIPBROADBANDTUNER TheMicroTuner™MT2011isafullyintegratedsingle-chiptuner,withfunctionalblocksspecificallydesignedtoeaseimplementationofhighperformancedigitalOpenCable™settopboxes. TheMT2011isadual-conversiontunerdesignwhichrequiresnoexternaltrackingfilters.Thiseliminatesthen	MICROTUNE Microtune	MICROTUNE
NCE2011E	文件：343.06 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER

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产品属性

产品编号：
IR2011PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.7V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
1A，1A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
35ns，20ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：
8-PDIP
描述：
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP

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