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IR11662SPBF中文资料200V 次级侧高速 SR 控制器,采用 8 引脚 SOIC 封装。数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IR11662SPBF

参数属性

IR11662SPBF 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

功能描述

200V 次级侧高速 SR 控制器,采用 8 引脚 SOIC 封装。
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌

数据手册

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更新时间

2026-10-7 18:32:00

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IR11662SPBF规格书详情

特性 Features


优势:
• 次级介高速 SR 控制器
• DCM、CrCM 反激和谐振半桥拓扑
• 200V 专有 IC 技术
• 最大开关频率500KHz
• 防跳逻辑和 UVLO 保护
• 4A 峰值关断驱动电流
• 微功率启动,超低静态电流
• 10.7V 栅极驱动箝位
• 50ns 关断传播延迟
• Vcc 范围为 11.3V 到 20V
• 直接感测 MOSFET 漏电压
• 支持 MOSFET VDS 转换同步功能
• 逐周期 MOT 检查电路防止多次错误触发栅极脉冲
• 无铅
• 兼容 0.3W 待机、Energy Star、CECP 等。

应用 Application

• 交流-直流

简介

IR11662SPBF属于集成电路(IC)的栅极驱动器。由Infineon制造生产的IR11662SPBF栅极驱动器栅极驱动器电源管理集成电路 (PMIC) 可用于提供隔离、放大、参考位移、自举或其他必要功能,这些功能可将来自电源转换应用中控制设备的信号连接到电源被控制通过的半导体设备(通常为 FET 或 IGBT)。任何特定设备提供的确切功能各不相同,但与它适合驱动的半导体配置相关。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IR11662SPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Product Status

    :active and preferred

  • Package name

    :SOIC 8N

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :yes

  • Package

    :8-Pin SOIC(NB)

  • VCC min

    :11.4 V

  • VCC max

    :18 V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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